| 系统配置 |
CPU |
Huawei EC-Core-L,基于ARM Cortex A9双核处理器，主频≥700M |
| 内存 |
核心板板载512MB DDR3内存 |
| 存储设备 |
存储 |
1G FLASH（核心板板载） |
| I/O接口 |
前置 |
1个千兆RJ45网络接口, 1个Console调试串口, 4个三线RS485串口, 2个三线RS232串口 2个SIM卡槽, 1个LORA天线SMB接口, 1个4G天线SMB接口, 1个支持热拔插的USB口 |
| 后置 |
3个千兆RJ45网络接口, 1个船型开关, 1个5Pin三相载波HPLC口电源接口 1个外壳接地端子, 1个3Pin电源接口 |
| 指示灯 |
前面板指示灯：RUN、ALM、CTL、WAN、PWR、MCU、LTE和电以太网口连接、数据灯 后面板指示灯：电以太网口连接、数据灯 |
| 电源模块 |
单电源，输入范围 AC85V~265V OR DC40~ 370V；频率 47~ 63Hz |
| 机箱尺寸 |
含挂耳尺寸: 266.6mm×224mm×44mm 不含挂耳尺寸: 224mm×225.6mm×44mm |
| 净重 |
4.5Kg（不包含包装、配件重量） |
| 颜色 |
银白色 |
| 温度 |
LTE最大发射功率情况；-25℃～+65℃ LTE典型发射功率情况：-25℃～+70℃ 存储温度：-40℃～+85℃ |
| 湿度 |
5％到95％（非凝结） |
| 电磁兼 容性 |
GB/T 15153.1- 1998 |
装置应能承受规定的严酷等级为Ⅲ的干扰试验，试验频率为1MHz，试验电压为共模2500V，差模1000V的衰减振 荡波干扰试验 |
| GB/T 15153.1- 1998 GB/T 17626.x |
装置能承受GB/T15153.1-1998 标准规定的Ⅳ级(接触放电8kV)静电放电干扰试验 GB/T 17626.3-2006射频电磁场辐射抗扰度（III）级 GB/T 17626.4-2006冲脉群抗扰度（IV）级 GB/T 17626.5-2008浪涌（冲击）抗扰度（IV）级 GB/T 17626.6-2017传导抗扰度（III）级 GB/T 17626.8-2006工频磁场扰抗扰度（V）级 GB/T 17626.9-1998脉冲磁场抗扰度（V）级 GB/T 17626.10-2017阻尼振荡磁场抗扰度（IV）级 GB/T 17626.12-1998 振荡波抗扰度试验（III/IV）级 |
| 其它干扰 |
装置通过了符合1000kV工程要求的其它电磁干扰试验 |
| 安规 |
GB/T14598.3- 2006（eqv IEC60255-5） |
介质强度：规定的交流电压为2.5kV（强电回路）或500V（弱电回路）、频率为50Hz、历时1min 的介质强度试验，而无 击穿和闪络现象。 绝缘电阻：用开路电压为500V的测试仪器测定装置的绝缘电阻值不小于100MΩ 冲击电压：峰值为5kV（强电回路）或1kV（弱电回路）的标准雷电波的冲击电压试验 漏电流：对地漏电流≤3.5mA |
| 机械环境适应性 |
抗振动：装置能承受GB/T 11287（idt IEC60255-21-1）规定的I级振动响应和振动耐受试验 抗冲击：装置能承受GB/T 14537（idt IEC60255-21-2）规定的I级冲击响应和冲击耐受试验，以及I级碰撞试验 热性能(过载能力)：装置的热性能（过载能力）符合DL/T478-2001的以下规定： 电源回路：80％～115％额定电压，连续工作。 |
| 可靠性 |
平均无故障工作时间：MTBF≥50000h 平均维修时间：MTTR≤0.5h |
